SQS121ELNW-T1_GE3 VISHAY
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQS121ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 114 A, 5000 µohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
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Технічний опис SQS121ELNW-T1_GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SQS121ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 114 A, 5000 µohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 114A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 119W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SQS121ELNW-T1_GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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SQS121ELNW-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQS121ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 114 A, 5000 µohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 114A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 119W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 2939 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| SQS121ELNW-T1_GE3 |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQS121ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 114 A, 5000 µohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SQS121ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 114 A, 5000 µohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)