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Технічний опис SQS161ELNW-T1_GE3 Vishay
Description: VISHAY - SQS161ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 59 A, 0.02 ohm, PowerPAK 1212-SLW, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 59A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 119W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-SLW, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SQS161ELNW-T1_GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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SQS161ELNW-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQS161ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 59 A, 0.02 ohm, PowerPAK 1212-SLW, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 59A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 119W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-SLW Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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SQS161ELNW-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQS161ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 59 A, 0.02 ohm, PowerPAK 1212-SLW, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 59A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 119W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| SQS161ELNW-T1_GE3 |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQS161ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 59 A, 0.02 ohm, PowerPAK 1212-SLW, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SQS161ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 59 A, 0.02 ohm, PowerPAK 1212-SLW, Oberflächenmontage
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Produktpalette: TrenchFET Series
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SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SQS161ELNW-T1_GE3 |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQS161ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 59 A, 0.02 ohm, PowerPAK 1212-SLW, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SQS161ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 59 A, 0.02 ohm, PowerPAK 1212-SLW, Oberflächenmontage
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SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




