Продукція > VISHAY > SQS174ELNW-T1_GE3
SQS174ELNW-T1_GE3

SQS174ELNW-T1_GE3 VISHAY

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQS174ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 72 V, 87 A, 5500 µohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 72V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 103W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+63.17 грн
500+48.05 грн
1000+43.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQS174ELNW-T1_GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SQS174ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 72 V, 87 A, 5500 µohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 72V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 87A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 103W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SQS174ELNW-T1_GE3 за ціною від 34.50 грн до 149.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQS174ELNW-T1_GE3 SQS174ELNW-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix MOSFETs N-CHANNEL 72-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 6502 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+110.09 грн
10+75.70 грн
100+51.26 грн
500+43.41 грн
1000+40.69 грн
3000+34.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQS174ELNW-T1_GE3 SQS174ELNW-T1_GE3 Виробник : VISHAY Description: VISHAY - SQS174ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 72 V, 87 A, 5500 µohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 72V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 103W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+149.89 грн
10+94.85 грн
100+63.17 грн
500+48.05 грн
1000+43.41 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.