SQS174ELNW-T1_GE3 VISHAY
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQS174ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 72 V, 87 A, 5500 µohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 72V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 103W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 56.70 грн |
| 500+ | 41.61 грн |
| 1000+ | 36.66 грн |
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Технічний опис SQS174ELNW-T1_GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SQS174ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 72 V, 87 A, 5500 µohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 72V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 87A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 103W, SVHC: Lead (07-Nov-2024), Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm.
Інші пропозиції SQS174ELNW-T1_GE3 за ціною від 31.56 грн до 132.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
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SQS174ELNW-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-CHANNEL 72-V (D-S) 175C MOSFET |
на замовлення 2805 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
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SQS174ELNW-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQS174ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 72 V, 87 A, 5500 µohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 72V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 87A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 103W SVHC: Lead (07-Nov-2024) Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm |
на замовлення 1549 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| SQS174ELNW-T1_GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-CHANNEL 72-V (D-S) 175C MOSFET
MOSFETs N-CHANNEL 72-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 2805 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 129.53 грн |
| 10+ | 81.10 грн |
| 100+ | 46.85 грн |
| 500+ | 38.41 грн |
| 1000+ | 37.57 грн |
| 3000+ | 31.84 грн |
| 9000+ | 31.56 грн |
| SQS174ELNW-T1_GE3 |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQS174ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 72 V, 87 A, 5500 µohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 72V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 103W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
Description: VISHAY - SQS174ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 72 V, 87 A, 5500 µohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 72V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 103W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
на замовлення 1549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 132.79 грн |
| 10+ | 84.72 грн |
| 100+ | 56.70 грн |
| 500+ | 41.61 грн |
| 1000+ | 36.66 грн |