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Технічний опис SQS178ELNW-T1_GE3 Vishay
Description: VISHAY - SQS178ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 72 V, 54 A, 9500 µohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 72V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 54A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 65W, SVHC: Lead (07-Nov-2024), Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm.
Інші пропозиції SQS178ELNW-T1_GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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SQS178ELNW-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-CHANNEL 72-V (D-S) 175C MOSFET |
на замовлення 2769 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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SQS178ELNW-T1_GE3 | VISHAY |
 Description: VISHAY - SQS178ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 72 V, 54 A, 9500 µohm, PowerPAK 1212-8SLW, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 72V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 54A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 65W SVHC: Lead (07-Nov-2024) Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm |
на замовлення 2470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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SQS178ELNW-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQS178ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 72 V, 54 A, 9500 µohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 72V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 54A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 65W SVHC: Lead (07-Nov-2024) Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm |
на замовлення 2470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| SQS178ELNW-T1_GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-CHANNEL 72-V (D-S) 175C MOSFET
MOSFETs N-CHANNEL 72-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 2769 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SQS178ELNW-T1_GE3 |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQS178ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 72 V, 54 A, 9500 µohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 65W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
Description: VISHAY - SQS178ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 72 V, 54 A, 9500 µohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 65W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
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Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SQS178ELNW-T1_GE3 |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQS178ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 72 V, 54 A, 9500 µohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
Description: VISHAY - SQS178ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 72 V, 54 A, 9500 µohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
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на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)