Продукція > VISHAY > SQS178ELNW-T1_GE3
SQS178ELNW-T1_GE3

SQS178ELNW-T1_GE3 Vishay


Виробник: Vishay
MOSFETs N-CHANNEL 72-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 2889 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+87.88 грн
10+58.03 грн
100+38.32 грн
500+32.47 грн
1000+30.06 грн
3000+25.52 грн
6000+25.08 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-40 дні (днів)
Мінімальна партія: 4 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQS178ELNW-T1_GE3 Vishay

Description: VISHAY - SQS178ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 72 V, 54 A, 9500 µohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 72V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 54A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 65W, SVHC: Lead (07-Nov-2024), Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm.

Інші пропозиції SQS178ELNW-T1_GE3 за ціною від 25.38 грн до 167.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SQS178ELNW-T1_GE3 SQS178ELNW-T1_GE3 Vishay / Siliconix MOSFETs N-CHANNEL 72-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 2123 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+167.23 грн
10+96.72 грн
100+66.70 грн
500+65.38 грн
1000+44.83 грн
3000+26.55 грн
6000+25.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS178ELNW-T1_GE3 SQS178ELNW-T1_GE3 VISHAY VISH-S-A0018268323-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQS178ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 72 V, 54 A, 9500 µohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 72V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 65W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQS178ELNW-T1_GE3 SQS178ELNW-T1_GE3 VISHAY VISH-S-A0018268323-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQS178ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 72 V, 54 A, 9500 µohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 72V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 65W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS178ELNW-T1_GE3
SQS178ELNW-T1_GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-CHANNEL 72-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 2123 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+167.23 грн
10+96.72 грн
100+66.70 грн
500+65.38 грн
1000+44.83 грн
3000+26.55 грн
6000+25.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS178ELNW-T1_GE3 VISH-S-A0018268323-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SQS178ELNW-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQS178ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 72 V, 54 A, 9500 µohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 72V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 65W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQS178ELNW-T1_GE3 VISH-S-A0018268323-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SQS178ELNW-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQS178ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 72 V, 54 A, 9500 µohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 72V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 65W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.