Технічний опис SS12LS RVG Taiwan Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD123HE, Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 20 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 1 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C, Supplier Device Package: SOD-123HE, Current - Average Rectified (Io): 1A, Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz, Technology: Schottky, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOD-123H, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції SS12LS RVG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SS12LS RVG | Taiwan Semiconductor |
 Diode Schottky 20V 1A 2-Pin SOD-123HE T/R |
на замовлення 5435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 391 шт В кошику од. на суму грн. |
| SS12LS RVG |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor
Diode Schottky 20V 1A 2-Pin SOD-123HE T/R
Diode Schottky 20V 1A 2-Pin SOD-123HE T/R
на замовлення 5435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)