
SS13L R3G Taiwan Semiconductor
на замовлення 3872 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 40.98 грн |
15+ | 23.45 грн |
100+ | 16.55 грн |
500+ | 13.50 грн |
1000+ | 11.18 грн |
1800+ | 10.74 грн |
9000+ | 10.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SS13L R3G Taiwan Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A SUB SMA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-219AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: Sub SMA, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 30 V.
Інші пропозиції SS13L R3G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
SS13L R3G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
|
SS13L R3G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 30 V |
товару немає в наявності |