Технічний опис SS2FH10-M3/I Vishay Semiconductors
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 2A DO219AB, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 860 mV @ 2 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Supplier Device Package: DO-219AB (SMF), Current - Average Rectified (Io): 2A, Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 4V, 1MHz, Technology: Schottky, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: DO-219AB, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції SS2FH10-M3/I
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SS2FH10-M3/I | Vishay General Semiconductor |
 Schottky Diodes & Rectifiers If 2A Vrrm 100V DO-219AB Ifsm 50A |
на замовлення 9550 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SS2FH10-M3/I |
|
Виробник: Vishay General Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers If 2A Vrrm 100V DO-219AB Ifsm 50A
Schottky Diodes & Rectifiers If 2A Vrrm 100V DO-219AB Ifsm 50A
на замовлення 9550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)