SS9013GTA Fairchild Semiconductor
Виробник: Fairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 20V 0.5A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 112 @ 50mA, 1V
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9458+ | 2.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SS9013GTA Fairchild Semiconductor
Description: TRANS NPN 20V 0.5A TO-92-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 112 @ 50mA, 1V, Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V, Power - Max: 625 mW.
Інші пропозиції SS9013GTA за ціною від 2.31 грн до 2.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SS9013GTA | Виробник : FAIRCHILD |
SS9013GTA |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
 |
SS9013GTA | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 20V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo |
товару немає в наявності |
|||||
 |
SS9013GTA | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 20V 0.5A TO-92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 112 @ 50mA, 1V Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 625 mW |
товару немає в наявності |
|||||
| SS9013GTA | Виробник : STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT |
товару немає в наявності |
||||||
 |
SS9013GTA | Виробник : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Silicon |
товару немає в наявності |