Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > SSD2007ATF

SSD2007ATF Fairchild Semiconductor

Name: SSD2007ATF
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 64181516-3
Price: 22478.539999999997 UAH
Availability: InStock

FAIRS23552-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw

Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 50V 2A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC

на замовлення 37587 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
523+	42.98 грн

Мінімальне замовлення: 523

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SSD2007ATF Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET 2N-CH 50V 2A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 50V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC.

Інші пропозиції SSD2007ATF

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	SSD2007ATF	Виробник : SAMSUNG		на замовлення 1169 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
	SSD2007ATF	Виробник : onsemi	Description: MOSFET 2N-CH 50V 2A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.