SSF2319GE Good-Ark Semiconductor


SSF2319GE.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -0.40A, -2
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-723
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 275mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 300mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSF2319GE Good-Ark Semiconductor

Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -0.40A, -2, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±8V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Supplier Device Package: SOT-723, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 275mW, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 300mA, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-723, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SSF2319GE за ціною від 3.10 грн до 20.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SSF2319GE SSF2319GE Good-Ark Semiconductor SSF2319GE.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -0.40A, -2
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-723
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 275mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 300mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.19 грн
23+13.46 грн
100+6.57 грн
500+5.14 грн
1000+3.57 грн
2000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSF2319GE SSF2319GE.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -0.40A, -2
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-723
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 275mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 300mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
16+20.19 грн
23+13.46 грн
100+6.57 грн
500+5.14 грн
1000+3.57 грн
2000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.