SSFB12N05

SSFB12N05 Good-Ark Semiconductor


SSFB12N05.pdf Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 12V 5A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Part Status: Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 495pF @ 6V, 520pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 4.5V, 74mOhm @ 4.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 4.5V, 9.2nC @ 4.5V
на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+6.76 грн
8000+ 6.14 грн
Мінімальне замовлення: 4000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSFB12N05 Good-Ark Semiconductor

Description: MOSFET N/P-CH 12V 5A 6DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel Complementary, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.9W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), FET Feature: Standard, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-DFN (2x2), Part Status: Active, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 495pF @ 6V, 520pF @ 6V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 4.5V, 74mOhm @ 4.5A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 4.5V, 9.2nC @ 4.5V.

Інші пропозиції SSFB12N05 за ціною від 6.67 грн до 30.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SSFB12N05 SSFB12N05 Виробник : Good-Ark Semiconductor SSFB12N05.pdf Description: MOSFET N/P-CH 12V 5A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Part Status: Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 495pF @ 6V, 520pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 4.5V, 74mOhm @ 4.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 4.5V, 9.2nC @ 4.5V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+30.28 грн
13+ 22.05 грн
25+ 19.88 грн
100+ 12.89 грн
250+ 10.85 грн
500+ 8.82 грн
1000+ 6.67 грн
Мінімальне замовлення: 10