Продукція > GOOD-ARK SEMICONDUCTOR > SSFB2310L

SSFB2310L Good-Ark Semiconductor

Name: SSFB2310L
Brand: Good-Ark Semiconductor
SKU: 61584639-3
Price: 33780 UAH
Availability: InStock

Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 9.9A, 20V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.01W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 10 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	11.26 грн
6000+	9.87 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SSFB2310L Good-Ark Semiconductor

Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 9.9A, 20V,, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2.01W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-DFN (2x2), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SSFB2310L

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	SSFB2310L	Виробник : Good-Ark Semiconductor	Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 9.9A, 20V, Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.01W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-DFN (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 10 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.