SSFK9120

SSFK9120 Good-Ark Semiconductor


SSFK9120.pdf Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.8A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 275mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc), 400mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 10V, 78pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V, 600mOhm @ 300mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSFK9120 Good-Ark Semiconductor

Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.8A SOT363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel Complementary, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 275mW (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc), 400mA (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 10V, 78pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V, 600mOhm @ 300mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V, FET Feature: Standard, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-363, Part Status: Active.

Інші пропозиції SSFK9120 за ціною від 7.06 грн до 37.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSFK9120 SSFK9120 Виробник : Good-Ark Semiconductor SSFK9120.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.8A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 275mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc), 400mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 10V, 78pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V, 600mOhm @ 300mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+37.82 грн
13+26.57 грн
25+23.24 грн
100+14.13 грн
250+11.69 грн
500+9.36 грн
1000+7.06 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.