Продукція > GOOD-ARK SEMICONDUCTOR > SSFN6907
SSFN6907

SSFN6907 Good-Ark Semiconductor

SSFN6907.pdf Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -12A, -60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 33.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 30 V
на замовлення 5675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+29.54 грн
12+ 24.68 грн
25+ 23.01 грн
100+ 17.27 грн
250+ 16.03 грн
500+ 13.57 грн
1000+ 10.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSFN6907 Good-Ark Semiconductor

Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -12A, -60V, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 33.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.05), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 30 V.

Інші пропозиції SSFN6907

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SSFN6907 SSFN6907 Виробник : Good-Ark Semiconductor SSFN6907.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -12A, -60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 33.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 30 V
товар відсутній