SSM3J16FS(TE85L,F) TOSHIBA
Виробник: TOSHIBACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.1A; 0.1W; SC75
Mounting: SMD
Case: SC75
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -100mA
Power dissipation: 0.1W
On-state resistance: 45Ω
Gate-source voltage: ±10V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 15000 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15000+ | 6.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3J16FS(TE85L,F) TOSHIBA
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.1A; 0.1W; SC75, Mounting: SMD, Case: SC75, Kind of package: reel; tape, Type of transistor: P-MOSFET, Drain-source voltage: -20V, Drain current: -100mA, Power dissipation: 0.1W, On-state resistance: 45Ω, Gate-source voltage: ±10V, Polarisation: unipolar, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 15000 шт.
Інші пропозиції SSM3J16FS(TE85L,F)
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
SSM3J16FS(TE85L,F) | Виробник : TOSHIBA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.1A; 0.1W; SC75 Mounting: SMD Case: SC75 Kind of package: reel; tape Type of transistor: P-MOSFET Drain-source voltage: -20V Drain current: -100mA Power dissipation: 0.1W On-state resistance: 45Ω Gate-source voltage: ±10V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
 |
SSM3J16FS(TE85L,F) | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.1A 3-Pin SSM T/R |
товару немає в наявності |