SSM3K15ACTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 100MA CST3C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3C
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 3.06 грн |
| 20000+ | 2.67 грн |
| 30000+ | 2.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3K15ACTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 100MA CST3C, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-101, SOT-883, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA, Supplier Device Package: CST3C, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V.
Інші пропозиції SSM3K15ACTC,L3F за ціною від 2.25 грн до 18.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SSM3K15ACTC,L3F | Виробник : Toshiba |
MOSFETs SM Sig N-CH MOS 30V 0.1A 20V VGSS |
на замовлення 19939 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SSM3K15ACTC,L3F | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 30V 100MA CST3C Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Supplier Device Package: CST3C Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V |
на замовлення 32143 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|