Продукція > TOSHIBA > SSM3K2615R,LF(T
SSM3K2615R,LF(T

SSM3K2615R,LF(T TOSHIBA


Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K2615R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.3 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1710 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+36.81 грн
27+29.77 грн
100+16.65 грн
500+12.78 грн
1000+9.12 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3K2615R,LF(T TOSHIBA

Description: TOSHIBA - SSM3K2615R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.3 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-23F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm, SVHC: To Be Advised.