SSM3K2615R,LF(T TOSHIBA
Виробник: TOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K2615R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.3 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 37.87 грн |
| 27+ | 30.63 грн |
| 100+ | 17.12 грн |
| 500+ | 13.15 грн |
| 1000+ | 9.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3K2615R,LF(T TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K2615R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.3 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-23F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції SSM3K2615R,LF(T
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SSM3K2615R,LF(T | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 2A Automotive 3-Pin SOT-23F T/R |
товару немає в наявності |