SSM3K2615R,LF(T TOSHIBA
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K2615R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.3 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
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Технічний опис SSM3K2615R,LF(T TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K2615R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.3 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 1W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOT-23F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm.
Інші пропозиції SSM3K2615R,LF(T за ціною від 10.74 грн до 10.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
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SSM3K2615R,LF(T | TOSHIBA |
 Description: TOSHIBA - SSM3K2615R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.3 ohm, SOT-23F, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 1W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-23F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm |
на замовлення 6524 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| SSM3K2615R,LF(T | TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 2A; SOT23F; automotive industry Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 60V Drain current: 2A Case: SOT23F Mounting: SMD Gate charge: 6nC Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
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| SSM3K2615R,LF(T |
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Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K2615R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.3 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
Description: TOSHIBA - SSM3K2615R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.3 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 6524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SSM3K2615R,LF(T |
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 2A; SOT23F; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
Case: SOT23F
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 2A; SOT23F; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
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Drain current: 2A
Case: SOT23F
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Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
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| 6000+ | 10.74 грн |