Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3K329R Toshiba
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; 1W; SOT23F; ESD, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 3.5A, Power dissipation: 1W, Case: SOT23F, Gate-source voltage: ±12V, On-state resistance: 289mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 1.5nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Version: ESD.
Інші пропозиції SSM3K329R
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SSM3K329R,LF(B | TOSHIBA |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; 1W; SOT23F; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.5A Power dissipation: 1W Case: SOT23F Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 289mΩ Mounting: SMD Gate charge: 1.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
| SSM3K329R,LF(B |
|
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; 1W; SOT23F; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23F
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 289mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; 1W; SOT23F; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23F
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 289mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику
од. на суму грн.