SSM3K361R Toshiba



Виробник: Toshiba

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3K361R Toshiba

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; Idm: 14A; 1.2W; SOT23F, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 3.5A, Power dissipation: 1.2W, Case: SOT23F, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 92mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 3.2nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Version: ESD, Pulsed drain current: 14A.

Інші пропозиції SSM3K361R

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SSM3K361R,LF(T TOSHIBA Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; Idm: 14A; 1.2W; SOT23F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 92mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 14A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361R,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; Idm: 14A; 1.2W; SOT23F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 92mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 14A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.