Продукція > TOSHIBA > SSM6J414TU,LF(T
SSM6J414TU,LF(T

SSM6J414TU,LF(T Toshiba

4558docget.jsplangenpidssm6j414tutypedatasheet.jsplangenpidssm6j414tu.pdf
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 20V 6A 6-Pin UF T/R
на замовлення 3562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+31.77 грн
28+27.40 грн
50+23.66 грн
100+19.79 грн
250+16.04 грн
500+13.13 грн
1000+11.54 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM6J414TU,LF(T Toshiba

Description: TOSHIBA - SSM6J414TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0225 ohm, SOT-363F, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-363F, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: U-MOSVI Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0225ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції SSM6J414TU,LF(T за ціною від 11.54 грн до 31.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SSM6J414TU,LF(T SSM6J414TU,LF(T Toshiba 4558docget.jsplangenpidssm6j414tutypedatasheet.jsplangenpidssm6j414tu.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 6A 6-Pin UF T/R
на замовлення 3562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
443+31.77 грн
513+27.40 грн
594+23.66 грн
685+19.79 грн
783+16.04 грн
918+13.13 грн
1044+11.54 грн
Мінімальне замовлення: 443 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J414TU,LF(T SSM6J414TU,LF(T TOSHIBA 4249038.pdf Description: TOSHIBA - SSM6J414TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0225 ohm, SOT-363F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-363F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0225ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J414TU,LF(T 4558docget.jsplangenpidssm6j414tutypedatasheet.jsplangenpidssm6j414tu.pdf
SSM6J414TU,LF(T
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 20V 6A 6-Pin UF T/R
на замовлення 3562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
443+31.77 грн
513+27.40 грн
594+23.66 грн
685+19.79 грн
783+16.04 грн
918+13.13 грн
1044+11.54 грн
Мінімальне замовлення: 443 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J414TU,LF(T 4249038.pdf
SSM6J414TU,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6J414TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0225 ohm, SOT-363F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-363F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0225ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.