SSM6J503NU,LF(T TOSHIBA
Виробник: TOSHIBACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 1W; uDFN6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: uDFN6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
Gate charge: 12.8nC
On-state resistance: 89.6mΩ
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM6J503NU,LF(T TOSHIBA
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 1W; uDFN6, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: P-MOSFET, Kind of package: reel; tape, Case: uDFN6, Mounting: SMD, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -20V, Drain current: -6A, Gate charge: 12.8nC, On-state resistance: 89.6mΩ, Power dissipation: 1W, Gate-source voltage: ±8V, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції SSM6J503NU,LF(T
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
SSM6J503NU,LF(T | Виробник : TOSHIBA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 1W; uDFN6 Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Case: uDFN6 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -6A Gate charge: 12.8nC On-state resistance: 89.6mΩ Power dissipation: 1W Gate-source voltage: ±8V |
товару немає в наявності |