Продукція > TOSHIBA > SSM6J512NU,LF(T
SSM6J512NU,LF(T

SSM6J512NU,LF(T TOSHIBA

4008616.pdf
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6J512NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 10 A, 0.0162 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0162ohm
на замовлення 597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM6J512NU,LF(T TOSHIBA

Description: TOSHIBA - SSM6J512NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 10 A, 0.0162 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 2.5W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOT-1220, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 8V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0162ohm.

Інші пропозиції SSM6J512NU,LF(T

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SSM6J512NU,LF(T SSM6J512NU,LF(T TOSHIBA 4008616.pdf Description: TOSHIBA - SSM6J512NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 10 A, 0.0162 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0162ohm
на замовлення 597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J512NU,LF(T 4008616.pdf
SSM6J512NU,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6J512NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 10 A, 0.0162 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0162ohm
на замовлення 597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.