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SSM6J512NU,LF(T

SSM6J512NU,LF(T TOSHIBA


Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6J512NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 10 A, 0.0162 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0162ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+32.05 грн
34+24.40 грн
100+16.92 грн
500+12.84 грн
1000+9.27 грн
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Технічний опис SSM6J512NU,LF(T TOSHIBA

Description: TOSHIBA - SSM6J512NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 10 A, 0.0162 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOT-1220, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 8V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0162ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).