Продукція > TOSHIBA > SSM6K388NU,LF(T
SSM6K388NU,LF(T

SSM6K388NU,LF(T TOSHIBA

4760821.pdf
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6K388NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.087 ohm, UDFN-B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: UDFN-B
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+35.94 грн
31+26.75 грн
100+15.34 грн
500+9.60 грн
1000+7.45 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM6K388NU,LF(T TOSHIBA

Description: TOSHIBA - SSM6K388NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.087 ohm, UDFN-B, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, Verlustleistung: 1.25W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: UDFN-B, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm.