SSM6K405TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 2A UF6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 10 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 28.48 грн |
| 14+ | 22.16 грн |
| 100+ | 15.08 грн |
| 500+ | 10.62 грн |
| 1000+ | 7.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM6K405TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 2A UF6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 1A, 4V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: UF6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 10 V.
Інші пропозиції SSM6K405TU,LF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SSM6K405TU,LF | Toshiba |
MOSFETs Small Signal MOSFET N-ch VDSS=20V, VGSS=+/-10V, ID=2.0A, RDS(ON)=0.126Ohm @ 4V, in UF6 package |
на замовлення 67 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SSM6K405TU,LF |
|
Виробник: Toshiba
MOSFETs Small Signal MOSFET N-ch VDSS=20V, VGSS=+/-10V, ID=2.0A, RDS(ON)=0.126Ohm @ 4V, in UF6 package
MOSFETs Small Signal MOSFET N-ch VDSS=20V, VGSS=+/-10V, ID=2.0A, RDS(ON)=0.126Ohm @ 4V, in UF6 package
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)