| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 36.67 грн |
| 14+ | 24.75 грн |
| 100+ | 15.82 грн |
| 500+ | 13.08 грн |
| 1000+ | 11.46 грн |
| 3000+ | 8.09 грн |
| 6000+ | 8.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM6K513NU,LF Toshiba
Description: MOSFET N-CH 30V 15A 6UDFNB, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 100µA, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 4A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TA), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції SSM6K513NU,LF за ціною від 11.98 грн до 48.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SSM6K513NU,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: MOSFET N-CH 30V 15A 6UDFNBCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TA) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 100µA Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 4A, 10V |
на замовлення 1338 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|