на замовлення 51856 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 39.63 грн |
| 12+ | 30.47 грн |
| 100+ | 18.19 грн |
| 500+ | 15.85 грн |
| 1000+ | 13.97 грн |
| 3000+ | 10.87 грн |
| 6000+ | 10.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM6K781G,LF Toshiba
Description: MOSFET N-CH 12V 7A 6WCSP6C, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 1.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-WCSPC (1.5x1.0), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 6 V.
Інші пропозиції SSM6K781G,LF за ціною від 13.18 грн до 40.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SSM6K781G,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 12V 7A 6WCSP6CPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WCSPC (1.5x1.0) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 6 V |
на замовлення 939 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| SSM6K781G,LF | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 12V 7A 6-Pin WCSP-C T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||
|
SSM6K781G,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 12V 7A 6WCSP6CPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WCSPC (1.5x1.0) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 6 V |
товару немає в наявності |

