Продукція > TOSHIBA > SSM6N35AFE,LF(T
SSM6N35AFE,LF(T

SSM6N35AFE,LF(T TOSHIBA

4249050.pdf
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6N35AFE,LF(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.1 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
35+23.74 грн
57+14.47 грн
100+9.10 грн
500+6.23 грн
1000+4.91 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM6N35AFE,LF(T TOSHIBA

Description: TOSHIBA - SSM6N35AFE,LF(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.1 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.1ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 250mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.