SSM6N35FE,LM(T TOSHIBA
Виробник: TOSHIBACategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.18A; 150mW; SOT563; ESD
Case: SOT563
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.18A
On-state resistance: 20Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.15W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5 шт
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM6N35FE,LM(T TOSHIBA
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.18A; 150mW; SOT563; ESD, Case: SOT563, Mounting: SMD, Gate-source voltage: ±10V, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 0.18A, On-state resistance: 20Ω, Type of transistor: N-MOSFET x2, Power dissipation: 0.15W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Version: ESD, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 5 шт.
Інші пропозиції SSM6N35FE,LM(T
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
SSM6N35FE,LM(T | Виробник : TOSHIBA |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.18A; 150mW; SOT563; ESD Case: SOT563 Mounting: SMD Gate-source voltage: ±10V Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.18A On-state resistance: 20Ω Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 0.15W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Version: ESD Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |