
SSM6P36TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.33A UF6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 8.42 грн |
6000+ | 7.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM6P36TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.33A UF6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 500mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4V, FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: UF6.
Інші пропозиції SSM6P36TU,LF за ціною від 5.74 грн до 38.20 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SSM6P36TU,LF | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 5099 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SSM6P36TU,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4V FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: UF6 |
на замовлення 6466 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|