SSP2N60B
Код товару: 45183
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції SSP2N60B за ціною від 15.43 грн до 20.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SSP2N60B | Fairchild Semiconductor |
Description: N-CHANNEL POWER MOSFETPackaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V |
на замовлення 372000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| SSP2N60B | ON Semiconductor |
SSP2N60B |
на замовлення 372000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
| SSP2N60B |
|
на замовлення 980 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| SSP2N60B | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SSP2N60B - MISCELLANEOUS MOSFETStariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 322000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 2004 шт В кошику од. на суму грн. |
| SSP2N60B |
![]() |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
на замовлення 372000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1137+ | 17.27 грн |
| SSP2N60B |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
SSP2N60B
SSP2N60B
на замовлення 372000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1713+ | 20.65 грн |
| 10000+ | 18.41 грн |
| 100000+ | 15.43 грн |
| SSP2N60B |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SSP2N60B - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - SSP2N60B - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 322000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)


