SST2907AHZGT116 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 60V 0.6A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.40 грн |
| 6000+ | 2.06 грн |
| 9000+ | 1.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SST2907AHZGT116 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - SST2907AHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції SST2907AHZGT116 за ціною від 1.45 грн до 14.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SST2907AHZGT116 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - SST2907AHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2873 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SST2907AHZGT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SST2907AHZGT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 4900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SST2907AHZGT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 60V 0.6A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 200 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 14102 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SST2907AHZGT116 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - SST2907AHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2873 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SST2907AHZGT116 | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT PNP SOT-23 -0.6A -60V VCEO |
на замовлення 7425 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SST2907AHZGT116 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 200/350mW; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.6A Power dissipation: 200/350mW Case: SOT23 Current gain: 50...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SST2907AHZGT116 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 200/350mW; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.6A Power dissipation: 200/350mW Case: SOT23 Current gain: 50...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz |
товару немає в наявності |