SSTA06HZGT116 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 80V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 15.50 грн |
| 33+ | 9.25 грн |
| 100+ | 5.74 грн |
| 500+ | 3.94 грн |
| 1000+ | 3.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSTA06HZGT116 Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 80V 0.5A SST3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SST3, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 200 mW, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SSTA06HZGT116 за ціною від 20.65 грн до 20.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SSTA06HZGT116 | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1692 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
SSTA06HZGT116 | ROHM |
Description: ROHM - SSTA06HZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Kollektorstrom: 500mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||
|
SSTA06HZGT116 | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 53 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 53 шт В кошику од. на суму грн. | ||
|
SSTA06HZGT116 | ROHM |
Description: ROHM - SSTA06HZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Kollektorstrom: 500mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. |
| SSTA06HZGT116 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1083+ | 20.65 грн |
| SSTA06HZGT116 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SSTA06HZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ROHM - SSTA06HZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SSTA06HZGT116 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SSTA06HZGT116 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SSTA06HZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ROHM - SSTA06HZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




