SSTA06HZGT116 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 80V 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 3.68 грн |
| 6000+ | 3.18 грн |
| 9000+ | 2.99 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSTA06HZGT116 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - SSTA06HZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 350mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції SSTA06HZGT116 за ціною від 3.46 грн до 21.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SSTA06HZGT116 | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 80V 0.5A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SST3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 200 mW Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 11969 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SSTA06HZGT116 | ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT NPN SOT-23 0.5A 80V VCEO |
на замовлення 2199 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SSTA06HZGT116 | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1692 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SSTA06HZGT116 | ROHM |
Description: ROHM - SSTA06HZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
SSTA06HZGT116 | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 53 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 53 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
SSTA06HZGT116 | ROHM |
Description: ROHM - SSTA06HZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Kollektorstrom: 500mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. |
| SSTA06HZGT116 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 80V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
Description: TRANS NPN 80V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 18+ | 18.25 грн |
| 29+ | 10.62 грн |
| 100+ | 6.60 грн |
| 500+ | 4.54 грн |
| 1000+ | 4.01 грн |
| SSTA06HZGT116 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN SOT-23 0.5A 80V VCEO
Bipolar Transistors - BJT NPN SOT-23 0.5A 80V VCEO
на замовлення 2199 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 16+ | 20.36 грн |
| 26+ | 12.03 грн |
| 100+ | 6.55 грн |
| 500+ | 4.82 грн |
| 1000+ | 4.29 грн |
| 3000+ | 3.46 грн |
| SSTA06HZGT116 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1083+ | 21.39 грн |
| SSTA06HZGT116 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SSTA06HZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ROHM - SSTA06HZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SSTA06HZGT116 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SSTA06HZGT116 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SSTA06HZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ROHM - SSTA06HZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)