SSU1N60BTU-WS ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - SSU1N60BTU-WS - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1593+ | 24.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSU1N60BTU-WS ONSEMI
Description: MOSFET N-CH 600V 900MA IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 450mA, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: IPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 25 V.
Інші пропозиції SSU1N60BTU-WS
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SSU1N60BTU-WS | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V 900MA IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 450mA, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
 |
SSU1N60BTU-WS | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET N-Ch 600V 0.9A 12Ohm |
товару немає в наявності |