Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSVMUN5312DW1T2G onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 187mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 22kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SSVMUN5312DW1T2G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| SSVMUN5312DW1T2G | ON Semiconductor |
 Bipolar Transistors - Pre-Biased SS BRT COMPLEMENTARY |
на замовлення 1248 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SSVMUN5312DW1T2G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Bipolar Transistors - Pre-Biased SS BRT COMPLEMENTARY
Bipolar Transistors - Pre-Biased SS BRT COMPLEMENTARY
на замовлення 1248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)