ST8L60N065DM9 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: N CHANNEL 600V 51MOHM TYP 39A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 202W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 400 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 470.92 грн |
| 10+ | 305.25 грн |
| 100+ | 221.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ST8L60N065DM9 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - ST8L60N065DM9 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 39 A, 0.065 ohm, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 39A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 202W, Bauform - Transistor: PowerFLAT HV, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: MDmesh DM9 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції ST8L60N065DM9 за ціною від 182.39 грн до 497.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ST8L60N065DM9 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V, 51 mOhm typ., 39 A MDmesh DM9 Power MOSFET |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ST8L60N065DM9 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - ST8L60N065DM9 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 39 A, 0.065 ohm, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 39A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 202W Bauform - Transistor: PowerFLAT HV Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: MDmesh DM9 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ST8L60N065DM9 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: N CHANNEL 600V 51MOHM TYP 39A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19.5A, 10V Power Dissipation (Max): 202W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |