Продукція > STMICROELECTRONICS > ST8L60N065DM9
ST8L60N065DM9

ST8L60N065DM9 STMicroelectronics

ST8L60N065DM9.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: N CHANNEL 600V 51MOHM TYP 39A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 202W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 400 V
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+479.34 грн
10+311.16 грн
100+230.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ST8L60N065DM9 STMicroelectronics

Description: N CHANNEL 600V 51MOHM TYP 39A, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 202W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 400 V.

Інші пропозиції ST8L60N065DM9 за ціною від 188.72 грн до 518.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ST8L60N065DM9 ST8L60N065DM9 Виробник : STMicroelectronics ST8L60N065DM9.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 51 mOhm typ., 39 A MDmesh DM9 Power MOSFET
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+518.74 грн
10+344.65 грн
100+221.94 грн
3000+188.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ST8L60N065DM9 ST8L60N065DM9 Виробник : STMicroelectronics ST8L60N065DM9.pdf Description: N CHANNEL 600V 51MOHM TYP 39A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 202W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.