Продукція > STMICROELECTRONICS > STB100N10F7
STB100N10F7

STB100N10F7 STMicroelectronics

en.DM00066568.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4369 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+73.48 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STB100N10F7 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STB100N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 6800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 120W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET VII DeepGATE, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції STB100N10F7 за ціною від 71.84 грн до 318.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STB100N10F7 STB100N10F7 STMicroelectronics stb100n10f7.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+97.69 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N10F7 STB100N10F7 STMicroelectronics stb100n10f7.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+97.69 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N10F7 STB100N10F7 STMicroelectronics en.DM00066568.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4369 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+218.98 грн
10+136.69 грн
100+94.57 грн
500+71.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N10F7 STB100N10F7 STMicroelectronics stb100n10f7.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+318.93 грн
68+207.92 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N10F7 STB100N10F7 STMicroelectronics en.DM00066568.pdf MOSFETs N-Ch 100V 0.0068 Ohm typ. 80A STripFET
на замовлення 1539 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N10F7 STB100N10F7 STMICROELECTRONICS 2124335.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STB100N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 6800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET VII DeepGATE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N10F7 STB100N10F7 STMICROELECTRONICS 2124335.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STB100N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 6800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET VII DeepGATE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N10F7 stb100n10f7.pdf
STB100N10F7
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+97.69 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N10F7 stb100n10f7.pdf
STB100N10F7
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+97.69 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N10F7 en.DM00066568.pdf
STB100N10F7
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4369 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+218.98 грн
10+136.69 грн
100+94.57 грн
500+71.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N10F7 stb100n10f7.pdf
STB100N10F7
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
45+318.93 грн
68+207.92 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N10F7 en.DM00066568.pdf
STB100N10F7
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 100V 0.0068 Ohm typ. 80A STripFET
на замовлення 1539 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N10F7 2124335.pdf
STB100N10F7
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB100N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 6800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET VII DeepGATE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N10F7 2124335.pdf
STB100N10F7
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB100N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 6800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET VII DeepGATE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.