Продукція > STMICROELECTRONICS > STB100N10F7
STB100N10F7

STB100N10F7 STMicroelectronics

stb100n10f7.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+83.30 грн
2000+82.53 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STB100N10F7 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STB100N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0068 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 120W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET VII DeepGATE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції STB100N10F7 за ціною від 81.46 грн до 287.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STB100N10F7 STB100N10F7 Виробник : STMicroelectronics stb100n10f7.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+89.71 грн
2000+88.88 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N10F7 STB100N10F7 Виробник : STMicroelectronics stb100n10f7.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+94.92 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N10F7 STB100N10F7 Виробник : STMicroelectronics stb100n10f7.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+102.27 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N10F7 STB100N10F7 Виробник : STMICROELECTRONICS 2124335.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STB100N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0068 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET VII DeepGATE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+159.72 грн
200+131.49 грн
500+100.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N10F7 STB100N10F7 Виробник : STMICROELECTRONICS 2124335.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STB100N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0068 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET VII DeepGATE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+213.23 грн
10+177.83 грн
50+159.72 грн
200+131.49 грн
500+100.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N10F7 STB100N10F7 Виробник : STMicroelectronics stb100n10f7.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
44+280.76 грн
67+183.39 грн
100+148.49 грн
500+135.37 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N10F7 STB100N10F7 Виробник : STMicroelectronics stb100n10f7-1850220.pdf MOSFETs N-Ch 100V 0.0068 Ohm typ. 80A STripFET
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+287.69 грн
10+184.84 грн
100+119.63 грн
250+113.02 грн
500+99.81 грн
1000+81.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N10F7 STB100N10F7 Виробник : STMicroelectronics stb100n10f7.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N10F7 STB100N10F7 Виробник : STMicroelectronics stb100n10f7.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N10F7 Виробник : STMicroelectronics stb100n10f7.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N10F7 Виробник : STMicroelectronics std100n10f7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 70A; Idm: 320A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ F7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N10F7 STB100N10F7 Виробник : STMicroelectronics en.DM00066568.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4369 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N10F7 STB100N10F7 Виробник : STMicroelectronics en.DM00066568.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4369 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N10F7 Виробник : STMicroelectronics std100n10f7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 70A; Idm: 320A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ F7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.