Продукція > STMICROELECTRONICS > STB100N6F7
STB100N6F7

STB100N6F7 STMicroelectronics

STB100N6F7.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+62.45 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STB100N6F7 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: D²PAK (TO-263), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 25 V.

Інші пропозиції STB100N6F7 за ціною від 49.69 грн до 133.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STB100N6F7 STB100N6F7 Виробник : STMicroelectronics STB100N6F7.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 25 V
на замовлення 1431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+125.03 грн
10+ 100.26 грн
100+ 79.81 грн
500+ 63.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
STB100N6F7 STB100N6F7 Виробник : STMicroelectronics stb100n6f7-1850244.pdf MOSFET N-channel 60 V, 4.7 mOhm typ 100 A STripFET F7 Power MOSFET
на замовлення 1778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+132.52 грн
10+ 109.24 грн
100+ 75.06 грн
500+ 64.23 грн
1000+ 54.07 грн
2000+ 51.35 грн
5000+ 49.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
STB100N6F7 Виробник : STM STB100N6F7.pdf Транзистор польовий потужний MOSFET, N-Ch, D2PAK (TO-263-3); 60 В; 100 A; 0.0056 Ohm; Pd=125W
на замовлення 92 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+133.06 грн
10+ 102.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
STB100N6F7 STB100N6F7 Виробник : STMicroelectronics dm0014886.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB100N6F7 Виробник : STMicroelectronics dm0014886.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній