Продукція > STMICROELECTRONICS > STB100N6F7
STB100N6F7

STB100N6F7 STMICROELECTRONICS

2816017.pdf Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB100N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0047 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0047ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+90.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STB100N6F7 STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - STB100N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0047 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 125W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET F7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0047ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції STB100N6F7 за ціною від 45.55 грн до 189.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STB100N6F7 STB100N6F7 Виробник : STMicroelectronics STB100N6F7.pdf MOSFETs N-channel 60 V, 4.7 mOhm typ., 100 A STripFET F7 Power MOSFET in a D2PAK package
на замовлення 1291 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+168.02 грн
10+115.06 грн
100+69.73 грн
500+55.26 грн
1000+55.18 грн
2000+45.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N6F7 STB100N6F7 Виробник : STMICROELECTRONICS 2816017.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STB100N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0047 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+175.16 грн
10+124.99 грн
100+90.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N6F7 STB100N6F7 Виробник : STMicroelectronics STB100N6F7.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 25 V
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+189.40 грн
10+126.33 грн
100+86.56 грн
500+65.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N6F7 STB100N6F7 Виробник : STMicroelectronics dm0014886.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N6F7 Виробник : STMicroelectronics dm0014886.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N6F7 STB100N6F7 Виробник : STMicroelectronics dm0014886.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N6F7 STB100N6F7 Виробник : STMicroelectronics dm0014886.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N6F7 STB100N6F7 Виробник : STMicroelectronics STB100N6F7.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.