Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > STB100NF04T4

STB100NF04T4

stp100nf04.pdf
Код товару: 170858
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STB100NF04T4 за ціною від 85.57 грн до 275.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STB100NF04T4 STB100NF04T4 STMicroelectronics stp100nf04.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+87.79 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF04T4 STB100NF04T4 STMicroelectronics STx100NF04.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 40V; 120A; Idm: 480A
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Pulsed drain current: 480A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
на замовлення 851 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+230.31 грн
5+172.76 грн
10+166.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF04T4 STB100NF04T4 STMicroelectronics stp100nf04.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+255.52 грн
10+160.32 грн
100+111.87 грн
500+85.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF04T4 STB100NF04T4 STMICROELECTRONICS stp100nf04.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STB100NF04T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 4300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+275.55 грн
10+180.45 грн
100+165.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF04T4 STB100NF04T4 STMicroelectronics stp100nf04.pdf MOSFETs N-Ch 40 Volt 120 Amp
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF04T4 stp100nf04.pdf
STB100NF04T4
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+87.79 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF04T4 STx100NF04.pdf
STB100NF04T4
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 40V; 120A; Idm: 480A
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Pulsed drain current: 480A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
на замовлення 851 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+230.31 грн
5+172.76 грн
10+166.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF04T4 stp100nf04.pdf
STB100NF04T4
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+255.52 грн
10+160.32 грн
100+111.87 грн
500+85.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF04T4 stp100nf04.pdf
STB100NF04T4
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB100NF04T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 4300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+275.55 грн
10+180.45 грн
100+165.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF04T4 stp100nf04.pdf
STB100NF04T4
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 40 Volt 120 Amp
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.