Продукція > STMICROELECTRONICS > STB10NK60ZT4
STB10NK60ZT4

STB10NK60ZT4 STMicroelectronics

cd00002815.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+88.14 грн
2000+87.69 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STB10NK60ZT4 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STB10NK60ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.5 A, 0.65 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, Verlustleistung: 115W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm.

Інші пропозиції STB10NK60ZT4 за ціною від 87.72 грн до 355.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STB10NK60ZT4 STB10NK60ZT4 STMicroelectronics cd00002815.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+88.18 грн
2000+87.72 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB10NK60ZT4 STB10NK60ZT4 STMicroelectronics en.CD00002815.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 25 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+355.84 грн
10+227.06 грн
100+161.50 грн
500+133.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB10NK60ZT4 STB10NK60ZT4 STMICROELECTRONICS SGSTS36170-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STB10NK60ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.5 A, 0.65 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
на замовлення 1482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB10NK60ZT4 STB10NK60ZT4 STMicroelectronics en.CD00002815.pdf MOSFETs N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 1567 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB10NK60ZT4 cd00002815.pdf
STB10NK60ZT4
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+88.18 грн
2000+87.72 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB10NK60ZT4 en.CD00002815.pdf
STB10NK60ZT4
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 25 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+355.84 грн
10+227.06 грн
100+161.50 грн
500+133.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB10NK60ZT4 SGSTS36170-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STB10NK60ZT4
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB10NK60ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.5 A, 0.65 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
на замовлення 1482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB10NK60ZT4 en.CD00002815.pdf
STB10NK60ZT4
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 1567 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.