STB11N65M5 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 650V 9A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 644 pF @ 100 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 71.37 грн |
| 2000+ | 64.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STB11N65M5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STB11N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.43 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 85W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STB11N65M5 за ціною від 68.27 грн до 213.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STB11N65M5 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB11N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.43 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 85W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STB11N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 5.6A; Idm: 36A On-state resistance: 0.48Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 85W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 17nC Technology: MDmesh™ M5 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: 36A Mounting: SMD Case: D2PAK Drain-source voltage: 650V Drain current: 5.6A |
на замовлення 878 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STB11N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N CH 650V 9A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 644 pF @ 100 V |
на замовлення 2836 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STB11N65M5 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB11N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.43 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 85W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 522 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STB11N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmeshM5 710V |
на замовлення 915 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STB11N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 5.6A; Idm: 36A On-state resistance: 0.48Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 85W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 17nC Technology: MDmesh™ M5 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: 36A Mounting: SMD Case: D2PAK Drain-source voltage: 650V Drain current: 5.6A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 878 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STB11N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| STB11N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |