Продукція > STMICROELECTRONICS > STB11N65M5
STB11N65M5

STB11N65M5 STMicroelectronics

en.DM00049307.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N CH 650V 9A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 644 pF @ 100 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+73.67 грн
2000+ 67.39 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STB11N65M5 STMicroelectronics

Description: MOSFET N CH 650V 9A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 85W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 644 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STB11N65M5 за ціною від 64.23 грн до 166.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STB11N65M5 STB11N65M5 Виробник : STMicroelectronics stb11n65m5.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 5.6A; Idm: 36A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.6A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 85W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+112.52 грн
5+ 92.03 грн
11+ 80.26 грн
28+ 75.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
STB11N65M5 STB11N65M5 Виробник : STMicroelectronics stb11n65m5.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 5.6A; Idm: 36A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.6A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 85W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 997 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+135.02 грн
5+ 114.68 грн
11+ 96.32 грн
28+ 90.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB11N65M5 STB11N65M5 Виробник : STMicroelectronics en.DM00049307.pdf Description: MOSFET N CH 650V 9A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 644 pF @ 100 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+155.21 грн
10+ 124.13 грн
100+ 98.81 грн
500+ 78.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB11N65M5 STB11N65M5 Виробник : STMicroelectronics stb11n65m5-1850020.pdf MOSFET N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmeshM5 710V
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+166.62 грн
10+ 136.74 грн
100+ 94.32 грн
250+ 90.34 грн
500+ 79.05 грн
1000+ 67.09 грн
2000+ 64.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB11N65M5 STB11N65M5 Виробник : STMicroelectronics dm0004930.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB11N65M5 Виробник : STMicroelectronics dm0004930.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній