STB11NK40ZT4

STB11NK40ZT4 STMicroelectronics


en.CD00003028.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 400V 9A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+73.83 грн
2000+67.99 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STB11NK40ZT4 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STB11NK40ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 4.5 A, 0.49 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції STB11NK40ZT4 за ціною від 63.15 грн до 224.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STB11NK40ZT4 STB11NK40ZT4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00003028.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 9A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.36 грн
10+84.64 грн
100+82.60 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK40ZT4 STB11NK40ZT4 Виробник : STMICROELECTRONICS 2307461.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STB11NK40ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 4.5 A, 0.49 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+100.83 грн
500+72.94 грн
1000+63.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK40ZT4 STB11NK40ZT4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00003028.pdf MOSFETs N-Ch 400 Volt 9 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 1888 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+222.80 грн
10+143.47 грн
100+86.43 грн
500+73.18 грн
1000+68.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK40ZT4 STB11NK40ZT4 Виробник : STMICROELECTRONICS 2307461.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STB11NK40ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 4.5 A, 0.49 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+224.43 грн
10+146.37 грн
100+100.83 грн
500+72.94 грн
1000+63.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK40ZT4 Виробник : STMicroelectronics STB11-STP11_STM.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 400, Id = 9 A, Ptot, Вт = 110, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 930 @ 25, Qg, нКл = 32 @ 10 В, Rds = 550 мОм @ 4,5 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4,5 В @ 100 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 245 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+123.80 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK40ZT4 Виробник : STM en.CD00003028.pdf N-кан. MOSFET 400V, 9A, 0.49Ом, 110Вт, D2PAK (SMD) (Zener-Protected SuperMESH) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.