
STB11NK40ZT4 STMicroelectronics
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1000+ | 45.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STB11NK40ZT4 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STB11NK40ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 4.5 A, 0.49 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STB11NK40ZT4 за ціною від 46.41 грн до 219.33 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STB11NK40ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STB11NK40ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 25 V |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STB11NK40ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STB11NK40ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STB11NK40ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STB11NK40ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 25 V |
на замовлення 2880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STB11NK40ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 1942 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STB11NK40ZT4 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1966 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STB11NK40ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 5.67A; 110W; D2PAK; ESD On-state resistance: 0.55Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 110W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Version: ESD Technology: SuperMesh™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Mounting: SMD Case: D2PAK Drain-source voltage: 400V Drain current: 5.67A |
на замовлення 452 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STB11NK40ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 5.67A; 110W; D2PAK; ESD On-state resistance: 0.55Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 110W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Version: ESD Technology: SuperMesh™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Mounting: SMD Case: D2PAK Drain-source voltage: 400V Drain current: 5.67A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 452 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
STB11NK40ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STB11NK40ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 245 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||||||||
![]() |
STB11NK40ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |