Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > STB11NK50ZT4

STB11NK50ZT4

en.CD00003024.pdf
Код товару: 188607
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STB11NK50ZT4 за ціною від 101.48 грн до 188.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STB11NK50ZT4 STB11NK50ZT4 STMicroelectronics en.CD00003024.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK50ZT4 STB11NK50ZT4 STMicroelectronics en.CD00003024.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; D2PAK
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.52Ω
Power dissipation: 125W
Drain current: 6.3A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 500V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 649 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+188.76 грн
10+132.51 грн
100+107.35 грн
500+101.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK50ZT4 STB11NK50ZT4 STMicroelectronics en.CD00003024.pdf MOSFETs N-Ch 500 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 1411 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK50ZT4 en.CD00003024.pdf
STB11NK50ZT4
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+122.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK50ZT4 en.CD00003024.pdf
STB11NK50ZT4
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; D2PAK
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.52Ω
Power dissipation: 125W
Drain current: 6.3A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 500V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 649 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+188.76 грн
10+132.51 грн
100+107.35 грн
500+101.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK50ZT4 en.CD00003024.pdf
STB11NK50ZT4
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 500 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 1411 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.