Інші пропозиції STB11NK50ZT4 за ціною від 54.23 грн до 302.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STB11NK50ZT4 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
STB11NK50ZT4 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
STB11NK50ZT4 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
STB11NK50ZT4 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
STB11NK50ZT4 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
STB11NK50ZT4 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; D2PAK Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 125W Polarisation: unipolar Version: ESD Technology: SuperMesh™ Drain current: 6.3A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 500V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±30V Kind of package: reel; tape Case: D2PAK On-state resistance: 0.52Ω Mounting: SMD |
на замовлення 586 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
STB11NK50ZT4 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 500V 10A D2PAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V |
на замовлення 161 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
STB11NK50ZT4 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 500 Volt 10 Amp Zener SuperMESH |
на замовлення 1106 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
STB11NK50ZT4 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB11NK50ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 0.48 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V Verlustleistung: 125W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm |
на замовлення 444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
STB11NK50ZT4 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| STB11NK50ZT4 | STM |
MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK Транзистори |
на замовлення 654 шт: термін постачання 4-5 дні (днів) |
|
| STB11NK50ZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 122.85 грн |
| STB11NK50ZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 128.24 грн |
| STB11NK50ZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 128.32 грн |
| STB11NK50ZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 138.82 грн |
| 2000+ | 134.57 грн |
| STB11NK50ZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 138.82 грн |
| 2000+ | 134.57 грн |
| STB11NK50ZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; D2PAK
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Drain current: 6.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; D2PAK
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Drain current: 6.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: SMD
на замовлення 586 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 207.94 грн |
| 10+ | 137.21 грн |
| 17+ | 57.51 грн |
| 45+ | 54.23 грн |
| STB11NK50ZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 302.56 грн |
| 10+ | 191.97 грн |
| 50+ | 149.12 грн |
| 100+ | 127.00 грн |
| STB11NK50ZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 500 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
MOSFETs N-Ch 500 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 1106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| STB11NK50ZT4 |
![]() |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB11NK50ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 0.48 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STB11NK50ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 0.48 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STB11NK50ZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STB11NK50ZT4 |
![]() |
Виробник: STM
MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK Транзистори
MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK Транзистори
на замовлення 654 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 66.64 грн |







