Інші пропозиції STB11NK50ZT4 за ціною від 101.25 грн до 308.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STB11NK50ZT4 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
STB11NK50ZT4 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
STB11NK50ZT4 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
STB11NK50ZT4 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
STB11NK50ZT4 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
STB11NK50ZT4 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; D2PAK Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.52Ω Power dissipation: 125W Drain current: 6.3A Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 40A Drain-source voltage: 500V Kind of package: reel; tape Case: D2PAK Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 649 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
STB11NK50ZT4 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 500V 10A D2PAKInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 4.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 161 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
STB11NK50ZT4 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB11NK50ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 0.48 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V Verlustleistung: 125W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm |
на замовлення 444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
STB11NK50ZT4 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 500 Volt 10 Amp Zener SuperMESH |
на замовлення 1411 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
STB11NK50ZT4 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. |
| STB11NK50ZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 122.30 грн |
| STB11NK50ZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 127.67 грн |
| STB11NK50ZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 127.75 грн |
| STB11NK50ZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 138.20 грн |
| 2000+ | 133.97 грн |
| STB11NK50ZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 138.20 грн |
| 2000+ | 133.97 грн |
| STB11NK50ZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; D2PAK
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.52Ω
Power dissipation: 125W
Drain current: 6.3A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 500V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; D2PAK
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.52Ω
Power dissipation: 125W
Drain current: 6.3A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 500V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 649 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 188.34 грн |
| 10+ | 132.21 грн |
| 100+ | 107.11 грн |
| 500+ | 101.25 грн |
| STB11NK50ZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 308.14 грн |
| 10+ | 195.20 грн |
| 100+ | 137.59 грн |
| STB11NK50ZT4 |
![]() |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB11NK50ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 0.48 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STB11NK50ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 0.48 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STB11NK50ZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 500 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
MOSFETs N-Ch 500 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 1411 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| STB11NK50ZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)







