Інші пропозиції STB11NK50ZT4 за ціною від 89.91 грн до 188.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STB11NK50ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
 Description: MOSFET N-CH 500V 10A D2PAKInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 4.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 427 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STB11NK50ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 500 Volt 10 Amp Zener SuperMESH |
на замовлення 1444 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STB11NK50ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; D2PAK Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.52Ω Power dissipation: 125W Drain current: 6.3A Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 40A Drain-source voltage: 500V Kind of package: reel; tape Case: D2PAK Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 649 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| STB11NK50ZT4 | Виробник : STM |
MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
на замовлення 654 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
|||||||||||
|
|
STB11NK50ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |