Продукція > STMICROELECTRONICS > STB11NK50ZT4
STB11NK50ZT4

STB11NK50ZT4 STMicroelectronics

en.CD00003024.pdf Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 651 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+107.55 грн
500+92.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STB11NK50ZT4 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STB11NK50ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 0.48 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції STB11NK50ZT4 за ціною від 97.38 грн до 143.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STB11NK50ZT4 STB11NK50ZT4 Виробник : STMicroelectronics 708555208248401cd00003024.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+112.05 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK50ZT4 STB11NK50ZT4 Виробник : STMicroelectronics 708555208248401cd00003024.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+114.93 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK50ZT4 STB11NK50ZT4 Виробник : STMicroelectronics 708555208248401cd00003024.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+119.97 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK50ZT4 STB11NK50ZT4 Виробник : STMicroelectronics 708555208248401cd00003024.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+121.22 грн
2000+117.50 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK50ZT4 STB11NK50ZT4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00003024.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK50ZT4 STB11NK50ZT4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00003024.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 651 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+129.06 грн
500+114.65 грн
1000+102.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK50ZT4 STB11NK50ZT4 Виробник : STMicroelectronics 708555208248401cd00003024.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+129.87 грн
2000+125.90 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK50ZT4 STB11NK50ZT4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00003024.pdf MOSFETs N-Ch 500 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 1444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+133.87 грн
500+125.01 грн
1000+97.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK50ZT4 STB11NK50ZT4 Виробник : STMICROELECTRONICS SGSTS30130-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STB11NK50ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 0.48 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+143.12 грн
10+140.58 грн
100+138.88 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK50ZT4
Код товару: 188607
Додати до обраних Обраний товар

en.CD00003024.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK50ZT4 STB11NK50ZT4 Виробник : STMicroelectronics 708555208248401cd00003024.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK50ZT4 Виробник : STMicroelectronics NV en.CD00003024.pdf MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
на замовлення 654 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK50ZT4 STB11NK50ZT4 Виробник : STMicroelectronics 708555208248401cd00003024.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK50ZT4 STB11NK50ZT4 Виробник : STMicroelectronics 708555208248401cd00003024.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK50ZT4 STB11NK50ZT4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00003024.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK50ZT4 STB11NK50ZT4 Виробник : STMicroelectronics 708555208248401cd00003024.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK50ZT4 Виробник : STMicroelectronics 708555208248401cd00003024.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.