Продукція > STMICROELECTRONICS > STB120N4F6
STB120N4F6

STB120N4F6 STMicroelectronics

102stb120n4f6.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+59.67 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STB120N4F6 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 40A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції STB120N4F6 за ціною від 52.87 грн до 169.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STB120N4F6 STB120N4F6 Виробник : STMicroelectronics 102stb120n4f6.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+67.17 грн
2000+63.94 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB120N4F6 STB120N4F6 Виробник : STMicroelectronics 102stb120n4f6.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+84.21 грн
2000+78.20 грн
3000+75.15 грн
5000+72.23 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB120N4F6 STB120N4F6 Виробник : STMicroelectronics 102stb120n4f6.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+90.17 грн
2000+83.74 грн
3000+80.47 грн
5000+77.34 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB120N4F6 STB120N4F6 Виробник : STMicroelectronics en.CD00263682.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+159.06 грн
10+89.68 грн
100+70.37 грн
500+60.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB120N4F6 STB120N4F6 Виробник : STMicroelectronics en.CD00263682.pdf MOSFETs N-Ch 40V 4mOhm 80A STripFET VI DeepGATE
на замовлення 3310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+169.77 грн
10+91.12 грн
100+63.08 грн
500+56.76 грн
1000+52.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB120N4F6 STB120N4F6 Виробник : STMicroelectronics 102stb120n4f6.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB120N4F6 STB120N4F6 Виробник : STMicroelectronics 102stb120n4f6.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB120N4F6 Виробник : STMicroelectronics 102stb120n4f6.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB120N4F6 STB120N4F6 Виробник : STMicroelectronics en.CD00263682.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB120N4F6 Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A539091CA0D2&compId=stb120n4f6.pdf?ci_sign=cf5267f6c2c8bd986a9be3c71bfc17bf9fbf57c4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; Idm: 320A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.