STB120N4F6 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 151.28 грн |
| 10+ | 85.29 грн |
| 100+ | 66.93 грн |
| 500+ | 57.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STB120N4F6 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 40A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції STB120N4F6 за ціною від 48.35 грн до 155.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STB120N4F6 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 40V 4mOhm 80A STripFET VI DeepGATE |
на замовлення 3310 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| STB120N4F6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 40V 4mOhm 80A STripFET VI DeepGATE
MOSFETs N-Ch 40V 4mOhm 80A STripFET VI DeepGATE
на замовлення 3310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 155.25 грн |
| 10+ | 83.33 грн |
| 100+ | 57.69 грн |
| 500+ | 51.91 грн |
| 1000+ | 48.35 грн |



