STB120N4F6

STB120N4F6 STMicroelectronics


en.CD00263682.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 649 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+194.50 грн
10+113.68 грн
100+82.00 грн
500+62.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STB120N4F6 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 40A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції STB120N4F6 за ціною від 56.29 грн до 214.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STB120N4F6 STB120N4F6 Виробник : STMicroelectronics stb120n4f6-1850247.pdf MOSFETs N-Ch 40V 4mOhm 80A STripFET VI DeepGATE
на замовлення 1334 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+214.91 грн
10+129.13 грн
100+79.26 грн
500+63.63 грн
1000+62.09 грн
2000+56.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB120N4F6 STB120N4F6 Виробник : STMicroelectronics 102stb120n4f6.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB120N4F6 Виробник : STMicroelectronics 102stb120n4f6.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB120N4F6 Виробник : STMicroelectronics stb120n4f6.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; Idm: 320A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 320A
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB120N4F6 STB120N4F6 Виробник : STMicroelectronics en.CD00263682.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB120N4F6 Виробник : STMicroelectronics stb120n4f6.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; Idm: 320A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 320A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.