STB120N4F6 STMicroelectronics
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 61.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STB120N4F6 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 40A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції STB120N4F6 за ціною від 55.28 грн до 177.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STB120N4F6 | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STB120N4F6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STB120N4F6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STB120N4F6 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 588 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STB120N4F6 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 40V 4mOhm 80A STripFET VI DeepGATE |
на замовлення 3310 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STB120N4F6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
STB120N4F6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| STB120N4F6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
|
STB120N4F6 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |