STB120NF10T4 STMicroelectronics
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 70.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STB120NF10T4 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 312W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V.
Інші пропозиції STB120NF10T4 за ціною від 145.31 грн до 420.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STB120NF10T4 | Виробник : STMicroelectronics |
 Description: MOSFET N-CH 100V 110A D2PAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 312W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STB120NF10T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 312W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V |
на замовлення 18429 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STB120NF10T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 898 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STB120NF10T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 898 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STB120NF10T4 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 100 Volt 120Amp |
на замовлення 2371 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STB120NF10T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| STB120NF10T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
 |
STB120NF10T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 77A; 312W; D2PAK; ESD Drain-source voltage: 100V Drain current: 77A On-state resistance: 10.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 312W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Version: ESD Technology: SuperMesh™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: D2PAK кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
STB120NF10T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 77A; 312W; D2PAK; ESD Drain-source voltage: 100V Drain current: 77A On-state resistance: 10.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 312W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Version: ESD Technology: SuperMesh™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: D2PAK |
товару немає в наявності |