STB120NF10T4 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 77A; 312W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 77A
Power dissipation: 312W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 250.77 грн |
| 9+ | 114.37 грн |
| 24+ | 107.59 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
14-30 дні (днів)
Мінімальна партія:
2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STB120NF10T4 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 312W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V.
Інші пропозиції STB120NF10T4 за ціною від 93.84 грн до 353.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STB120NF10T4 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 100 Volt 120Amp |
на замовлення 724 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STB120NF10T4 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 312W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V |
на замовлення 792 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| STB120NF10T4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 100 Volt 120Amp
MOSFETs N-Ch 100 Volt 120Amp
на замовлення 724 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 307.43 грн |
| 10+ | 198.57 грн |
| 100+ | 128.38 грн |
| 500+ | 108.11 грн |
| 1000+ | 99.85 грн |
| 2000+ | 93.84 грн |
| STB120NF10T4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 353.93 грн |
| 10+ | 226.00 грн |
| 50+ | 176.42 грн |
| 100+ | 150.57 грн |
| 500+ | 131.50 грн |