STB13NK60ZT4

STB13NK60ZT4 STMicroelectronics


cd0000281.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 86 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
83+154.15 грн
85+151.68 грн
86+149.12 грн
Мінімальне замовлення: 83
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STB13NK60ZT4 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 25 V.

Інші пропозиції STB13NK60ZT4 за ціною від 121.35 грн до 323.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STB13NK60ZT4 STB13NK60ZT4 Виробник : STMicroelectronics cd0000281.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+186.61 грн
2000+181.86 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NK60ZT4 STB13NK60ZT4 Виробник : STMicroelectronics cd0000281.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
62+209.14 грн
65+197.80 грн
100+185.87 грн
500+158.84 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NK60ZT4 STB13NK60ZT4 Виробник : STMicroelectronics cd0000281.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+224.08 грн
10+211.93 грн
100+199.14 грн
500+170.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NK60ZT4 STB13NK60ZT4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00002816.pdf MOSFETs N-Ch 600 Volt 13 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+323.20 грн
10+246.05 грн
100+153.28 грн
500+126.14 грн
1000+121.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NK60ZT4 STB13NK60ZT4 Виробник : STMicroelectronics cd0000281.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NK60ZT4 STB13NK60ZT4 Виробник : STMicroelectronics cd0000281.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NK60ZT4 STB13NK60ZT4 Виробник : STMicroelectronics cd0000281.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NK60ZT4 STB13NK60ZT4 Виробник : STMicroelectronics cd0000281.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NK60ZT4 STB13NK60ZT4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00002816.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NK60ZT4 STB13NK60ZT4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00002816.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.