Продукція > STMICROELECTRONICS > STB14N80K5
STB14N80K5

STB14N80K5 STMicroelectronics

en.DM00175161.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 445mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+109.44 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STB14N80K5 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 445mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 130W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STB14N80K5 за ціною від 111.62 грн до 346.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STB14N80K5 STB14N80K5 Виробник : STMicroelectronics en.DM00175161.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 445mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 100 V
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+300.25 грн
10+194.87 грн
100+137.64 грн
500+118.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB14N80K5 STB14N80K5 Виробник : STMicroelectronics en.DM00175161.pdf MOSFETs N-channel 800 V, 0.400 Ohm typ 12 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 744 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+346.40 грн
10+231.05 грн
100+142.87 грн
500+123.53 грн
1000+111.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB14N80K5 STB14N80K5 Виробник : STMicroelectronics dm00175.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB14N80K5 Виробник : STMicroelectronics dm00175.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.