STB16N90K5 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 900V 15A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1027 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 191.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STB16N90K5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STB16N90K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 190W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh K5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції STB16N90K5 за ціною від 188.61 грн до 579.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STB16N90K5 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB16N90K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 190W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh K5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 2960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STB16N90K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 900V 15A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1027 pF @ 100 V |
на замовлення 1350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STB16N90K5 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 900 V, 280 mOhm typ 15 A MDmesh K5 Power MOSFET |
на замовлення 984 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STB16N90K5 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB16N90K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 190W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh K5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 2960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| STB16N90K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: Transistors - Unclassified Description: STB16N90K5 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| STB16N90K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| STB16N90K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |