STB16PF06LT4
Виробник:
на замовлення 6 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STB16PF06LT4
Description: MOSFET P-CH 60V 16A D2PAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±16V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: D2PAK, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA, Power Dissipation (Max): 70W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції STB16PF06LT4
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| STB16PF06LT4 | Виробник : ST |
TO-263/D2-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
STB16PF06LT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET P-CH 60V 16A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
|
|
|
STB16PF06LT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET P-CH 60V 16A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
 |
STB16PF06LT4 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET P-Ch 60 Volt 16 Amp |
товару немає в наявності |