STB170NF04

STB170NF04 STMicroelectronics


en.CD00231343.pdf
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 40V STripFET 80A
на замовлення 673 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+308.07 грн
10+199.51 грн
100+124.71 грн
500+101.02 грн
1000+78.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STB170NF04 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 40A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції STB170NF04 за ціною від 143.70 грн до 317.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STB170NF04 STB170NF04 Виробник : STMicroelectronics en.CD00231343.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 25 V
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+317.44 грн
10+202.51 грн
100+143.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB170NF04 STB170NF04 Виробник : STMicroelectronics en.CD00231343.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.