STB18N60DM2 STMicroelectronics


stb18n60dm2.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+96.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STB18N60DM2 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STB18N60DM2 - Leistungs-MOSFET, Mdmesh DM2, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.26 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 90W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm.

Інші пропозиції STB18N60DM2 за ціною від 76.54 грн до 266.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STB18N60DM2 STB18N60DM2 STMicroelectronics stb18n60dm2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+96.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60DM2 STB18N60DM2 STMicroelectronics STB18N60DM2.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a D2PAK package
на замовлення 514 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+266.19 грн
10+170.97 грн
100+103.78 грн
500+83.90 грн
1000+76.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60DM2 STB18N60DM2 STMICROELECTRONICS 2309337.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STB18N60DM2 - Leistungs-MOSFET, Mdmesh DM2, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.26 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 90W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
на замовлення 1635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60DM2 STB18N60DM2 STMICROELECTRONICS 2309337.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STB18N60DM2 - Leistungs-MOSFET, Mdmesh DM2, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.26 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 90W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
на замовлення 1635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60DM2 stb18n60dm2.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+96.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60DM2 STB18N60DM2.pdf
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a D2PAK package
на замовлення 514 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+266.19 грн
10+170.97 грн
100+103.78 грн
500+83.90 грн
1000+76.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60DM2 2309337.pdf
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB18N60DM2 - Leistungs-MOSFET, Mdmesh DM2, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.26 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 90W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
на замовлення 1635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60DM2 2309337.pdf
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB18N60DM2 - Leistungs-MOSFET, Mdmesh DM2, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.26 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 90W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
на замовлення 1635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.